NTJD1155LT1G - MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTJD1155LT1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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3653175 Pieces
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Spécifications pour NTJD1155LT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTJD1155LT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N and P-Channel
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
400mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTJD1155LT1G
Feuilles de données :
NTJD1155LT1G.pdf
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