MT41K512M8V90BWC1 - IC DRAM 4G PARALLEL

Référence fabricant
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IC DRAM 4G PARALLEL
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT41K512M8V90BWC1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT41K512M8V90BWC1
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 4G PARALLEL
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR3L
Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge : -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.283V ~ 1.45V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : -
Paquet / caisse : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MT41K , MT41K512

Documents pour MT41K512M8V90BWC1

Feuilles de données : MT41K512M8V90BWC1.pdf

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