EPC2202 - GANFET N-CH 80V 18A DIE

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GANFET N-CH 80V 18A DIE
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour EPC2202

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2202
Fabricant : EPC
La description : GANFET N-CH 80V 18A DIE
Séries : Automotive, AEC-Q101, eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 5V
Vgs (Max) : +5.75V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 415pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Die Outline (6-Solder Bar)
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
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