NTMSD2P102R2SG - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
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Brève description
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTMSD2P102R2SG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTMSD2P102R2SG
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 16V
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTMSD2P102R2SG
Feuilles de données :
NTMSD2P102R2SG.pdf
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