TK4R4P06PL,RQ - MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

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Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK4R4P06PL,RQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK4R4P06PL,RQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Séries : U-MOSIX-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3280pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 87W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK4R , TK4R4P

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Feuilles de données : TK4R4P06PL,RQ.pdf

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