D650N06TXPSA1 - DIODE GEN PURP 600V 650A

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 650A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour D650N06TXPSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : D650N06TXPSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIODE GEN PURP 600V 650A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 650A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 950mV @ 450A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 20mA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : DO-200AA, A-PUK
Package d'appareils du fournisseur : -
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 180°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : D650 , D650N0

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Feuilles de données : D650N06TXPSA1.pdf

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