SI5922DU-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
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Brève description
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI5922DU-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI5922DU-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
765pF @ 15V
Puissance - Max :
10.4W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Package d'appareils du fournisseur :
PowerPAK® ChipFet Dual
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI5922DU-T1-GE3
Feuilles de données :
SI5922DU-T1-GE3.pdf
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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