IS42S16100E-6BLI - IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
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Brève description
IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS42S16100E-6BLI
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS42S16100E-6BLI
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM
Taille mémoire : 16Mb (1M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 5.5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-TFBGA (6.4x10.1)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS42S16100E-6BLI
Feuilles de données : IS42S16100E-6BLI.pdf
Produits associés pour IS42S16100E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 16KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 16KV SCREW. | ||
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