SQ1912EH-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
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MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SQ1912EH-T1_GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQ1912EH-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 10V
Puissance - Max : 1.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-70-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SQ1912EH-T1_GE3
Feuilles de données : SQ1912EH-T1_GE3.pdf
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