S12J - DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-S12J
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour S12J

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : S12J
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 12A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 12A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 50V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Chassis, Stud Mount
Paquet / caisse : DO-203AA, DO-4, Stud
Package d'appareils du fournisseur : DO-4
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
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Feuilles de données : S12J.pdf

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