IRFB31N20DPBF - MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB

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Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFB31N20DPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFB31N20DPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 107nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRFB , IRFB31

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Feuilles de données : IRFB31N20DPBF.pdf

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