IRFB31N20DPBF - MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
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Brève description
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFB31N20DPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRFB31N20DPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
107nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2370pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220AB
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRFB31N20DPBF
Feuilles de données :
IRFB31N20DPBF.pdf
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