TPH2R506PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour TPH2R506PL,L1Q
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TPH2R506PL,L1Q
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries :
U-MOSIX-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
5435pF @ 30V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
132W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TPH2R506PL,L1Q
Feuilles de données :
TPH2R506PL,L1Q.pdf
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