JANTXV1N649-1 - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
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Brève description
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour JANTXV1N649-1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : JANTXV1N649-1
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Séries : Military, MIL-PRF-19500/240
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 400mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 400mA
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 50nA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial
Package d'appareils du fournisseur : DO-35
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour JANTXV1N649-1
Feuilles de données : JANTXV1N649-1.pdf
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