PTAB182002TCV2R250XTMA1 - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
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IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PTAB182002TCV2R250XTMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain : 14.8dB
Tension - Test : 28V
Note actuelle : 10µA
Figure de bruit : -
Courant - Test : 520mA
Puissance - sortie : 29W
Tension - nominale : 65V
Paquet / caisse : H-49248H-4
Package d'appareils du fournisseur : H-49248H-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PTAB182 , PTAB182002T
Documents pour PTAB182002TCV2R250XTMA1
Feuilles de données : PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
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