MTA4ATF51264HZ-2G6E1 - IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
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IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR4
Taille mémoire : 32Gb (512M x 64)
Fréquence d'horloge : 1333MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.2V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : -
Paquet / caisse : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MTA4AT , MTA4ATF512
Documents pour MTA4ATF51264HZ-2G6E1
Feuilles de données : MTA4ATF51264HZ-2G6E1.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 12KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 30KV AXIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 40KV AXIAL. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |