HAT2175H-EL-E - MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
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Brève description
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HAT2175H-EL-E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HAT2175H-EL-E
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1445pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 15W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour HAT2175H-EL-E
Feuilles de données : HAT2175H-EL-E.pdf
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