PMG45UN,115 - MOSFET N-CH 20V 3A SOT363

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MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
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Spécifications pour PMG45UN,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMG45UN,115
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 375mW (Ta), 4.35W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSSOP
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMG , PMG45

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Feuilles de données : PMG45UN,115.pdf

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