GT60N321(Q) - IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GT60N321(Q)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GT60N321(Q)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type IGBT : -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1000V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 60A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 60A
Puissance - Max : 170W
Énergie de commutation : -
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 330ns/700ns
Condition de test : -
Temps de récupération inverse (trr) : 2.5µs
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-3PL
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P(LH)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : GT6 , GT60N

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Feuilles de données : GT60N321(Q).pdf

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