FDD6612A - MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDD6612A
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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1197325 Pieces
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Spécifications pour FDD6612A
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDD6612A
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
9.4nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D-PAK (TO-252)
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDD6612A
Feuilles de données :
FDD6612A.pdf
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