SI3445DV-T1-E3 - MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
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Brève description
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI3445DV-T1-E3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI3445DV-T1-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-TSOP
Paquet / caisse :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI3445DV-T1-E3
Feuilles de données :
SI3445DV-T1-E3.pdf
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CAP CER 160PF 9KV AXIAL. |
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. |
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CAP CER 1000PF 100V BP 1206. |
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