CSD85312Q3E - MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD85312Q3E
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CSD85312Q3E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD85312Q3E
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2390pF @ 10V
Puissance - Max : 2.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-VSON (3.3x3.3)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CSD85312Q3E
Feuilles de données : CSD85312Q3E.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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