W94AD2KBJX5I TR - IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour W94AD2KBJX5I TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : W94AD2KBJX5I TR
Fabricant : Winbond Electronics
La description : IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire : 1Gb (32M x 32)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 90-VFBGA (8x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour W94AD2KBJX5I TR
Feuilles de données : W94AD2KBJX5I TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 32KV R85. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. | ||
| Murata Electronics North America | CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201. | ||
| Murata Electronics North America | CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. | ||
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