AIHD03N60RFATMA1 - IC DISCRETE 600V TO252-3
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Brève description
IC DISCRETE 600V TO252-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AIHD03N60RFATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AIHD03N60RFATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC DISCRETE 600V TO252-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 5A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 7.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 2.5A
Puissance - Max : 53.6W
Énergie de commutation : 50µJ (on), 40µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 17.1nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 10ns/128ns
Condition de test : 400V, 2.5A, 68 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3-313
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AIHD03N60RFATMA1
Feuilles de données : AIHD03N60RFATMA1.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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