C3M0120100J - MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-C3M0120100J
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
50935 Pieces
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Spécifications pour C3M0120100J
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
C3M0120100J
Fabricant :
Cree/Wolfspeed
La description :
MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Séries :
C3M™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
21.5nC @ 15V
Vgs (Max) :
+15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 600V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
83W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D2PAK-7
Paquet / caisse :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour C3M0120100J
Feuilles de données :
C3M0120100J.pdf
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