GP1M009A020PG - MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Référence fabricant

GP1M009A020PG

Numéro de pièce interne

AX-GP1M009A020PG

Fabricant

Global Power Technologies Group

Brève description

MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

20936 Pieces

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Spécifications pour GP1M009A020PG

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GP1M009A020PG

Fabricant : Global Power Technologies Group

La description : MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 414pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 52W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GP1M , GP1M00

Documents pour GP1M009A020PG

Feuilles de données : GP1M009A020PG.pdf

Produits associés pour GP1M009A020PG Global Power Technologies Group

Numéro d'article	Marque	La description
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