SIZ980DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

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MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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Spécifications pour SIZ980DT-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIZ980DT-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Puissance - Max : 20W, 66W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair®
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIZ98 , SIZ980D

Documents pour SIZ980DT-T1-GE3

Feuilles de données : SIZ980DT-T1-GE3.pdf

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