SIZ980DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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646040 Pieces
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Spécifications pour SIZ980DT-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIZ980DT-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual), Schottky
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Puissance - Max :
20W, 66W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur :
8-PowerPair®
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIZ980DT-T1-GE3
Feuilles de données :
SIZ980DT-T1-GE3.pdf
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