TK25V60X,LQ - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TK25V60X,LQ
Fabricant
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
203655 Pieces
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Spécifications pour TK25V60X,LQ
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK25V60X,LQ
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries :
DTMOSIV-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 300V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
180W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
4-DFN-EP (8x8)
Paquet / caisse :
4-VSFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK25V60X,LQ
Feuilles de données :
TK25V60X,LQ.pdf
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