EPC8009 - GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC8009
Fabricant
Brève description
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
185550 Pieces
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Spécifications pour EPC8009
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EPC8009
Fabricant :
EPC
La description :
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Séries :
eGaN®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) :
65V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.45nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
52pF @ 32.5V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Paquet / caisse :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EPC8009
Feuilles de données :
EPC8009.pdf
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