SI7846DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Référence fabricant

SI7846DP-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SI7846DP-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SI7846DP-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SI7846DP-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 150V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.9W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8

Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SI784 , SI7846D

Documents pour SI7846DP-T1-GE3

Feuilles de données : SI7846DP-T1-GE3.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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BZ114096WZ10248BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
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