SI8441DB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
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MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
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Spécifications pour SI8441DB-T2-E1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI8441DB-T2-E1
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquet / caisse : 6-UFBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI8441DB-T2-E1
Feuilles de données : SI8441DB-T2-E1.pdf
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