IPU80R1K4P7AKMA1 - MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPU80R1K4P7AKMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPU80R1K4P7AKMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Séries :
CoolMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
10.05nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 500V
Caractéristique FET :
Super Junction
Dissipation de puissance (max) :
32W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO251-3
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPU80R1K4P7AKMA1
Feuilles de données :
IPU80R1K4P7AKMA1.pdf
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