IRF7389 - MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Référence fabricant

IRF7389

Numéro de pièce interne

AX-IRF7389

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour IRF7389

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRF7389

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N and P-Channel

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V

Puissance - Max : 2.5W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IR , IRF

Documents pour IRF7389

Feuilles de données : IRF7389.pdf

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