1N8030-GA - DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-1N8030-GA
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N8030-GA
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N8030-GA
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 750mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.39V @ 750mA
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-257-3
Package d'appareils du fournisseur : TO-257
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 250°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 1N8030-GA
Feuilles de données : 1N8030-GA.pdf
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