1N8030-GA - DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-1N8030-GA
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9408 Pieces
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Spécifications pour 1N8030-GA
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
1N8030-GA
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de diode :
Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
750mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.39V @ 750mA
La vitesse :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5µA @ 650V
Capacité @ Vr, F :
76pF @ 1V, 1MHz
Type de montage :
Through Hole
Paquet / caisse :
TO-257-3
Package d'appareils du fournisseur :
TO-257
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 250°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 1N8030-GA
Feuilles de données :
1N8030-GA.pdf
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