RJK6006DPD-00#J2 - MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
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MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RJK6006DPD-00#J2
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RJK6006DPD-00#J2
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 77.6W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : MP-3A
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RJK6006DPD-00#J2
Feuilles de données : RJK6006DPD-00#J2.pdf
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