MT46H16M32LFCM-6:B TR - IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT46H16M32LFCM-6:B TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT46H16M32LFCM-6:B TR
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire : 512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 5.0ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 90-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 90-VFBGA (10x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MT46H16 , MT46H16M32
Documents pour MT46H16M32LFCM-6:B TR
Feuilles de données : MT46H16M32LFCM-6:B TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 2200PF 14KV. | ||
| EPCOS (TDK) | CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 20KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 12KV SCREW. | ||
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