FQP2N30 - MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220

Référence fabricant

FQP2N30

Numéro de pièce interne

AX-FQP2N30

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQP2N30

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQP2N30

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 300V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.1A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 1.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQ , FQP

Documents pour FQP2N30

Feuilles de données : FQP2N30.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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