CSD16411Q3 - MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD16411Q3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CSD16411Q3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
CSD16411Q3
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Séries :
NexFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
14A (Ta), 56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
3.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
+16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 12.5V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2.7W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-VSON (3.3x3.3)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour CSD16411Q3
Feuilles de données :
CSD16411Q3.pdf
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