NTMFS5H610NLT1G - T8 60V LOW COSS
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
T8 60V LOW COSS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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691210 Pieces
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Spécifications pour NTMFS5H610NLT1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
NTMFS5H610NLT1G
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
T8 60V LOW COSS
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
12A (Ta), 44A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 40µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
13.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 30V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3W (Ta), 43W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour NTMFS5H610NLT1G
Feuilles de données :
NTMFS5H610NLT1G.pdf
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