IRF1902GPBF - MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF1902GPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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16152 Pieces
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Spécifications pour IRF1902GPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF1902GPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
310pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
-
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF1902GPBF
Feuilles de données :
IRF1902GPBF.pdf
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