PMV65ENEAR - MOSFET N-CH 20V TO-236AB
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMV65ENEAR
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMV65ENEAR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMV65ENEAR
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V TO-236AB
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMV65ENEAR
Feuilles de données : PMV65ENEAR.pdf
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