SI4972DY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
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MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI4972DY-T1-E3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI4972DY-T1-E3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 15V
Puissance - Max :
3.1W, 2.5W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI4972DY-T1-E3
Feuilles de données :
SI4972DY-T1-E3.pdf
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CAP CER 3000PF 10KV. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2200PF 14KV. |
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