CSD25213W10 - MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD25213W10
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CSD25213W10
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD25213W10
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 478pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-DSBGA (1x1)
Paquet / caisse : 4-UFBGA, DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CSD25213W10
Feuilles de données : CSD25213W10.pdf
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