TSM60N1R4CH C5G - MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
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Brève description
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TSM60N1R4CH C5G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TSM60N1R4CH C5G
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
370pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
38W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-251 (IPAK)
Paquet / caisse :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TSM60N1R4CH C5G
Feuilles de données :
TSM60N1R4CH C5G.pdf
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