TPCC8093,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPCC8093,L1Q
Fabricant
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
2197400 Pieces
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Spécifications pour TPCC8093,L1Q
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TPCC8093,L1Q
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries :
U-MOSVII
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
21A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.9W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TPCC8093,L1Q
Feuilles de données :
TPCC8093,L1Q.pdf
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