SIZ322DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIZ322DT-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SIZ322DT-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Séries :
TrenchFET® Gen IV
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
20.1nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 12.5V
Puissance - Max :
16.7W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur :
8-Power33 (3x3)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SIZ322DT-T1-GE3
Feuilles de données :
SIZ322DT-T1-GE3.pdf
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CAP CER 5000PF 14KV SCREW. |
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CAP CER 4000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 75PF 30KV AXIAL. |
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CAP CER 10PF 100V BP 0805. |
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CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |
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CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805. |
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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