BSD235CH6327XTSA1 - MOSFET N/P-CH 20V SOT363
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Brève description
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSD235CH6327XTSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSD235CH6327XTSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 950mA, 530mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1.6µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.34nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 47pF @ 10V
Puissance - Max : 500mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT363-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BSD235CH6327XTSA1
Feuilles de données : BSD235CH6327XTSA1.pdf
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