FQB27N25TM-F085 - MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

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MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
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Spécifications pour FQB27N25TM-F085

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FQB27N25TM-F085
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 131 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 417W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FQB27 , FQB27N2

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Feuilles de données : FQB27N25TM-F085.pdf

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