1N4150W-G3-18 - DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
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DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N4150W-G3-18
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N4150W-G3-18
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 200mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 50V
Capacité @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOD-123
Package d'appareils du fournisseur : SOD-123
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 1N4150W-G3-18
Feuilles de données : 1N4150W-G3-18.pdf
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