IXTV102N20T - MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220

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MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
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Spécifications pour IXTV102N20T

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTV102N20T
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
Séries : TrenchHV™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 102A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 750W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PLUS220
Paquet / caisse : TO-220-3, Short Tab
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTV1

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Feuilles de données : IXTV102N20T.pdf

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