FDMD8900 - MOSFET 2N-CH 30V POWER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDMD8900
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDMD8900
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMD8900
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 30V POWER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2605pF @ 15V
Puissance - Max : 2.1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 12-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : 12-Power3.3x5
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDMD8900
Feuilles de données : FDMD8900.pdf
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